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Donald Homero Galván Martínez

Investigador Titular B; PRIDE D;
Departamento Fiscoquímica de Nanomateriales
Extensión 404
Resumen curricular:

Datos Generales
Lugar de Nacimiento: Sabinas, Coahuila.
RFC: GAMD440418
Estudios de Licenciatura: Instituto Tecnológico y de Estudios Superiores de Monterrey
Lic. Físico-Matemático-1965-1970.
Estudios de posgrado: Universidad del Sur de Illinois en Carbondale, Il. EUA
Maestría en Ciencias, Fí­sica-1976-1978.
Ph D. Física Molecular-1980-1986.
Lugar de trabajo: Centro de Ciencias de la Materia Condensada-UNAM
Experiencia de trabajo: Jefe de Departamento de Computación (6 años)
Ayudante del Jefe de Control de Calidad (1 año)
Profesor en La Univ. Del Sur-Este de Missouri, Cape
Girardeau, Missouri, EUA, (1 año).


Formación de Recursos Humanos
Cursos impartidos: 63 (23 Lic., 23 Ma, 17 Dr.)
Tesis dirigidas: 5 (1 Lic., 3 Ma, 1 Dr.)

Puestos Académicos y distinciones
Investigador Titular B de T. C.
PRIDE: Nivel D
SNI: Nivel II
Antigüedad: 20 años
Coordinador del programa de posgrado CICESE-UNAM (enero 2000- enero 2002)
Jefe del Departamento de Fisicoquímica de Superficies (septiembre 2004 - marzo 2006)
Representante interino ante la CAAFMI-UNAM (2004 - 2006)

Producción Primaria
Artículos publicados en revistas con arbitraje: 53 (además 2 acep. y 4 env.)
Artículos publicados en memorias de Congreso con arbitraje: 12
Trabajos presentados en Congresos nacionales: 51
Trabajos presentados en congresos internacionales: 61
Citas (del Science Citation index): 299 ( 67 autocitas y 230 externas + 2)
Citas a trabajos in extenso: 9

Años sabáticos
Científico Visitante en la Universidad de Cornell, Ithaca, N. Y., EUA, Depto. de Quí­mica, grupo del Profesor Roald Hoffmann, Cálculos Extendidos de Huckel con tight-binding en MoO3, diamante cúbico y Bi2O3.
Científico Visitante en la Universidad de California, La Jolla, (UCSD) en el grupo del Profesor M. B. Maple, Superconductividad en Fermiones pesados y compuestos del uranio.
Científico visitante en la Universidad de Texas en Austin, Austin, Texas, U. S. A., Internacional Center for Nanotechnology and Advanced Materials (ICNAM), grupo del Profesor Miguel José Yacamán, Estudio de Catálisis por sulfuros. Grupo de M. José Yacamán, Enero a Diciembre, 2007.

Publicaciones relevantes:
  • Donald H. Galván, Moh´d Abu-Jafar and F. C. Sanders, "Multiperturbation Approach to Potential Energy Surfaces for Polyatomic Molecules", J. Chem, Phys. 102(12) (1995) 4919.
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  • A. Reyes Serrato, Donald H. Galván, I. L. Garzón, "Ab Initio Hartree-Fock Study of Structural and Electronic Properties of β-Si2N4 and β-C3N4 Compounds ", Phys. Rev. B. 52.(9) (1995) 6293.
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  • Rousseau R., Canadell E., Alemany P., Galván D. H., Hoffmann R., "Concerning the origin of metal-to-insulator transition in H0.33 MoO3", Inorganic Chemistry, 36 (1977) 4627-4632.
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  • Mackie E. B., Galván D. H., Adem E., Talapatra S., Yang G., and Migone A. D., "Production of WS2 nanotubes by an activation method", Advanced Materials, 12 (7) (2000) 495-498.
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  • Galván D. H., Kim Jun-Ho,Maple M. B., Avalos-Borja M., and Adem E., "Formation of NbSe2 nanotubes by electron irradiation", Fullerene Sci. Technol., 8 (3) (2000) 143-151.
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  • D. H. Galván, N. R. Dilley, M. B. Maple, A. Posada-Amarillas, A. Reyes-Serrato and J. C. Samaniego-Reyna, "Extended Huckel tight-binding calculations of the electronic structure of YbFe4Sb12, UFe4P12 and ThFe4P12", Phys. Rev. B, 68(11) (2003) 115110 1-9.
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