ALD

EN PROCESO DE INSTALACIÓN

 

El sistema de depósito por capa atómica (conocido en inglés como ALD) Beneq TFS 200 es un equipo que permite sintetizar materiales que son de interés para la comunidad académica, así como para el sector industrial. El tipo de materiales y estructuras que se pueden fabricar en este tipo de reactor abarca materiales semiconductores, luminiscentes, multiferróicos, catalíticos, recubrimientos ultra-duros, entre otros. El sistema permite la síntesis de películas delgadas  a escala nanométrica y con control preciso del espesor, a través de ALD térmico y ALD asistido por plasma (PEALD).

Los óxidos que se han calibrado y que actualmente se fabrican en este reactor son Al2O3, ZnO, ZrO2, Y2O3, YSZ y diferentes combinaciones entre los mismos. También se han calibrado óxidos como TiO2 y HfO2 

Características:

  • Depósito de películas por ALD térmico con temperatura de substrato de hasta 500 °C. El sistema cuenta con cuatro fuentes: dos fuentes líquidas a temperatura ambiente y dos calientes hasta una temperatura de 300 °C.
  • Depósito de películas por PEALD directo o remoto con fuente RF hasta 300 W, con plasma de argón, oxigeno y/o nitrógeno.

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