Estructura de Superficies

Equipamiento:

• Cámara de ultra alto vacío, equipada con un microscopio de efecto Túnel (STM),
• Analizador de gases residuales (RGA), difracción de electrones (LEED).
• Microscopio STM-Electroquímico.
• Hornos tubulares para crecimiento de nanoestructuras por PVD.
• Potenciostato BAS-100.
• Campana de extracción

Líneas de investigación

• Estudios de estructura y fenómenos de superficie: adsorción de moléculas orgánicas en superficies semiconductoras y metálicas. Autoensamble.
• Crecimiento de nanoestructuras con propiedades luminiscentes por técnicas de PVD (ZnO, GaN) y métodos húmedos.
• Desarrollo de micro-manipuladores mecánicos.
• Instrumentación.

El Laboratorio de Estructura de Superficies L-9 se encuentra frente a la biblioteca del CNyN.

Una de las principales técnicas de caracterización de superficies en este laboratorio es la Microscopía de Barrido por Efecto Túnel (STM). El primer instrumento que se adquirió fue el NanoScope I en 1989, de Digital Instruments, el primer microscopio de su tipo en México, que operaba en condiciones ambientales. Para este instrumento se desarrolló un sistema para la digitalización y procesamiento de las imágenes. Desde entonces se han adquirido varios controladores (NanoScope E) que se han adaptado a un microscopio de ultra alto vacío (STM-UHV), y microscopio electroquímico (ECSTM), ambos construídos en nuestras instalaciones.

Con este instrumento se empezaron los primeros estudios sobre la adsorción de halógenos sobre superficies metálicas, adsorción de moléculas orgánicas sobre superifices semiconductoras, así como estudios sobre electrodepósitos metálicos.

El laboratorio cuenta con una cámara de Ultra Alto Vacío (3×10-10Torr) equipada con el STM-UHV, analizador de masas residuales (RGA), analizador de difracción de electrones de baja energía (LEED), con la capacidad para hacer Espectroscopía Auger (AES).

También es de nuestro interés, crecer y caracterizar materiales con propiedades luminiscentes. Para este propósito, construímos dos hornos tubulares para el crecimiento de estos materiales por el método de PVD (Physical Vapor Deposition). En estos sistemas hemos estudiado materiales como Ga2O3, GaN, ZnO, dopados con diferentes elementos para modificar sus propiedades electrónicas. Para caracterizar la emisión de estos materiales, implementamos la técnica de cátodoluminiscencia (CL) en nuestro microscopio electrónico de barrido (SEM) modelo JEOL 5400, que también permite bajar la temperatura de la muestra hasta 100K.